儀器由四探針測試儀和薄膜電導率測量儀兩分組成。具有測量度、靈敏度、穩定性好、測量范圍寬、結構緊湊、使用方便等點。儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、等院校對半導體材料的電阻性能的測試。
四探針測試儀由主機、測試架等分組成。可以測量片狀、塊狀半導體材料的徑向和軸向電阻率,測量擴散層的薄層電阻(亦稱方塊電阻)、能材料暗電導和光電導及溫度的變化的性,還可以對金屬導體的低、中值電阻行測量。測試探頭采用寶石導向軸套和耐磨碳化鎢探針制成,故定位準確、游移率小、壽命長。
薄膜電導率測量儀由樣品室、溫控系統、真空系統、阻測量系統等分組成。
◆ 測量范圍:電阻測量范圍:1×106~1×1017Ω;
電阻率:0.001~200Ωcm;
電導率:0.005~1000s/cm;
◆ 可測晶片直徑: 200mmX200mm;
◆ 探針:碳化鎢或速鋼;探針間距:1±0.01mm;
◆ 針間緣電阻:≥1000MΩ;
機械游移率:≤0.3%;
◆ 本底真空度:≤10Pa,氣壓可控范圍:10~400Pa;
◆ 襯底加熱 溫度:室溫~200℃。