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型號:HAD-FD-MR-II

磁阻效應實驗儀

描述:本實驗裝置結構簡單、實驗內容豐富,使用兩種材料的傳感器:利用砷化鎵( GaAs)霍耳傳感器測量磁感應強度,研究銻化銦(InSb)磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學生可觀測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規律,具有研究性和性實驗的點

  • 廠商性質

    生產廠家
  • 更新時間

    2024-04-20
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    721
詳細介紹
品牌恒奧德

本實驗裝置結構簡單、實驗內容豐富,使用兩種材料的傳感器:利用砷化鎵( GaAs)霍耳傳感器測量磁感應強度,研究銻化銦(InSb)磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學生可觀測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規律,具有研究性和性實驗的點。

  該儀器可用于理科大學的基礎物理實驗和性綜合物理實驗,也可用于演示實驗。

  應用本實驗儀可以成以下實驗:

  1.用于測定通過電磁鐵的電和磁鐵間隙中磁感應強度的關系,觀測砷化鎵(GaAs)霍耳元件的霍耳效應。

  2.用于測定銻化銦(InSb)磁阻元件電阻大小磁感應強度的對應關系。

  3.研究銻化銦(InSb)磁阻元件在不同磁感應強度區域的電阻值變化與磁感應強度的關系,行曲線擬合,求出磁阻元件電阻與磁感應強度關系的經驗公式。

  4.外接信號發生器,深入研究磁電阻的交性(倍頻效應),觀測其有的物理現象(選做)。

  儀器主要參數:

  1.雙路直電源

   電范圍 0-500mA 連續可調,數字電表顯示大小。

   電范圍 0-3mA 連續可調,供傳感器的作電。

  2.數字式毫計

   測量范圍 0-0.5T,分辨率0.0001T,準確率為1%。

             北京恒奧德儀器儀表有限公司

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